APS6408L-3OBMX-BA

AP Memory
878-APS6408L-3OBMXBA
APS6408L-3OBMX-BA

Tillverk:

Beskrivning:
DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 4 014

Lager:
4 014 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
33,22 kr 33,22 kr
31,02 kr 310,20 kr
30,14 kr 753,50 kr
29,37 kr 1.468,50 kr
28,71 kr 2.871,00 kr
27,94 kr 6.985,00 kr
27,39 kr 13.695,00 kr
26,73 kr 26.730,00 kr
25,85 kr 64.625,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
AP Memory Technology
Produktkategori: DRAM
RoHS-direktivet:  
PSRAM (Pseudo SRAM)
64 Mbit
8 bit
133 MHz
BGA-24
8 M x 8
2.7 V
3.6 V
- 40 C
+ 105 C
IoT RAM
Tray
Märke: AP Memory
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: TW
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Produkttyp: DRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 4800
Underkategori: Memory & Data Storage
Handelsnamn: APMemory
Enhetens vikt: 152 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

CNHTS:
8542329010
USHTS:
8542320002
ECCN:
EAR99

Octal SPI (OPI & HPI) PSRAM DDRs in BGA24 Package

AP Memory Octal SPI (OPI and HPI) PSRAM DDRs in the BGA24 package feature 64Mb up to 512M densities with x8 or x16 organization. The DDRs support a maximum clock frequency of 133MHz for devices operating at 3V supply and up to 200MHz for the 1.8V supply version. The Octal SPI PSRAM DDRs offer a -40°C to 85°C default industrial grade temperature and an -40°C to 105°C extended temperature range. AP Memory Octal SPI (OPI and HPI) PSRAM DDRs are ideal in memory selection for SoC applications requiring low pin count and ultra-low power extended memory.