Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

AAR013V120H3

Name: APC-E AAR013V120H3
Brand: APC-E
SKU: 896-AAR013V120H3
Price: 256.63 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

896-AAR013V120H3

Tillverk: Nr.:

AAR013V120H3

Tillverk:

APC-E

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

AAR013V120H3 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om APC-E AAR013V120H3

På lager: 290

Lager:: 290

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 300
Fabrikens ledtid:: 41

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	256,63 kr	256,63 kr
	214,50 kr	2.145,00 kr
	187,55 kr	22.506,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	APC-E
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-4
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	145 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	13 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	18 V
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Märke:	APC-E
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Fuktkänsliga:	Yes
Förpackning:	Tube
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

AAR013V120H3 Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed to deliver high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications. These MOSFETs are available in 650V and 1200V variants and feature a low forward voltage drop, high switching speeds, and robust reliability, making the MOSFETs ideal for industrial power supplies, energy storage, motor driving, data centers, server farms, and electric vehicle (EV) charging. These APC-E SiC MOSFETs are engineered to improve energy efficiency, reduce system size and weight, and enable modern system architectures. The devices are paired with custom-designed gate drivers to ensure optimal performance and reliability.