AS4C64M16D3LC-12BIN

Alliance Memory
913-4C64M16D3LC12BIN
AS4C64M16D3LC-12BIN

Tillverk:

Beskrivning:
DRAM DDR3L, 1Gb, 64M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, INDUSTRIAL TEMP, C Die

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 177

Lager:
177 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
6 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
86,79 kr 86,79 kr
80,74 kr 807,40 kr
78,21 kr 1.955,25 kr
76,45 kr 3.822,50 kr
69,63 kr 6.963,00 kr
68,75 kr 13.612,50 kr
68,09 kr 40.445,46 kr
66,77 kr 79.322,76 kr
2 574 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Alliance Memory
Produktkategori: DRAM
RoHS-direktivet:  
SDRAM - DDR3L
1 Gbit
16 bit
800 MHz
FBGA-96
64 M x 16
20 ns
1.283 V
1.45 V
- 40 C
+ 95 C
Tray
Märke: Alliance Memory
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: TW
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Produkttyp: DRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 198
Underkategori: Memory & Data Storage
Strömstyrka - Max: 72 mA
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.