AS4C8M16MSA-6BIN

Alliance Memory
913-AS4C8M16MSA-6BIN
AS4C8M16MSA-6BIN

Tillverk:

Beskrivning:
DRAM 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP SDRAM IT

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 182

Lager:
182 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
82,61 kr 82,61 kr
76,89 kr 768,90 kr
74,58 kr 1 864,50 kr
72,71 kr 3 635,50 kr
72,49 kr 7 249,00 kr
67,21 kr 16 802,50 kr
65,67 kr 32 835,00 kr
64,24 kr 61 477,68 kr
2 552 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Alliance Memory
Produktkategori: DRAM
RoHS-direktivet:  
SDRAM Mobile
128 Mbit
16 bit
166 MHz
FBGA-54
8 M x 16
5.5 ns
1.7 V
1.95 V
- 40 C
+ 85 C
AS4C8M16MSA-6
Tray
Märke: Alliance Memory
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: TW
Fuktkänsliga: Yes
Monteringsstil: SMD/SMT
Produkttyp: DRAM
Fabriksförpackningskvantitet: 319
Underkategori: Memory & Data Storage
Strömstyrka - Max: 50 mA
Enhetens vikt: 3,188 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

Mobile Low Power SDRAMs

Alliance Memory Mobile Low Power SDRAMs are high-performance CMOS Dynamic RAMs (DRAM) with a 64ms refresh period (4K cycle). These devices feature advanced circuit design to provide low active current and extremely low standby current. The low power features include Auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), partial array self-refresh power-saving mode, deep power-down mode, and driver strength control.