SSM2212RZ-R7

Analog Devices
584-SSM2212RZ-R7
SSM2212RZ-R7

Tillverk:

Beskrivning:
Bipolära transistorer - BJT Low Noise,Matched Dual NPN Transistor

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 339

Lager:
339
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
5 000
Fabrikens ledtid:
10
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
100,87 kr 100,87 kr
78,87 kr 788,70 kr
65,78 kr 6.578,00 kr
58,52 kr 29.260,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
49,72 kr 49.720,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Analog Devices Inc.
Produktkategori: Bipolära transistorer - BJT
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
NPN
Dual
20 mA
40 V
40 V
50 mV
200 MHz
- 40 C
+ 85 C
SSM2212
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Analog Devices
Monteringsland: TW
Distributionsland: US
Ursprungsland: US
DC-kollektor/basförstärkning Hfe Min: 300 at 1 mA, 200 at 10 uA
Produkttyp: BJTs - Bipolar Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 1000
Underkategori: Transistors
Enhetens vikt: 540 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

SSM2212 Dual-Matched NPN Transistor

Analog Devices SSM2212 Dual-Matched NPN Transistors are dual, NPN-matched transistor pairs specifically designed to meet the requirements of ultra-low noise audio systems. With its extremely low input base spreading resistance (rbb' is typically 28Ω) and high current gain (hFE typically exceeds 600 at IC = 1mA), the SSM2212 can achieve outstanding signal-to-noise ratios. The high current gain results in superior performance compared to systems incorporating commercially available monolithic amplifiers.

Linear ADI SLP