Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

DIT090N06

Name: Diotec Semiconductor DIT090N06
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIT090N06
Price: 17.6 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

637-DIT090N06

Tillverk: Nr.:

DIT090N06

Tillverk:

Diotec Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er MOSFET, TO-220AB, 65V, 90A, 175C, N

Datablad:

DIT090N06 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Diotec Semiconductor DIT090N06

På lager: 973

Lager:: 973

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 1 000
Fabrikens ledtid:: 9

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	17,60 kr	17,60 kr
	8,42 kr	84,20 kr
	6,55 kr	655,00 kr
	5,94 kr	2 970,00 kr
	5,02 kr	5 020,00 kr
	4,95 kr	12 375,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Diotec Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	65 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	90 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	5.7 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.9 V
Qg - Gate-laddning:	94 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	160 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	DIT090N06
Förpackning:	Tube
Märke:	Diotec Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	13 ns
Transkonduktans framåt - Min:	50 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	11 ns
Serie:	DIT0/1
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	65 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	26 ns
Enhetens vikt:	2,820 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

DIT090N06 Datablad (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.