EPC2307

EPC
65-EPC2307
EPC2307

Tillverk:

Beskrivning:
GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Livscykel:
Nytt hos Mouser
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 6 471

Lager:
6 471 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
48,07 kr 48,07 kr
32,01 kr 320,10 kr
22,88 kr 2.288,00 kr
21,78 kr 10.890,00 kr
20,57 kr 20.570,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
18,48 kr 55.440,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
EPC
Produktkategori: GaN FET
RoHS-direktivet:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
200 V
63 A
10 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
10.1 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Märke: EPC
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: MY
Fuktkänsliga: Yes
Förpackning: Reel
Förpackning: Cut Tape
Produkt: Power Transistor
Produkttyp: GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Teknologi: GaN
Transistortyp: 1 N-Channel
Enhetens vikt: 30,300 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99