IS66WVR4M8ALL-104NLI

Name: ISSI IS66WVR4M8ALL-104NLI
Brand: ISSI
SKU: 870-6WVR4M8ALL104NLI
Price: 39.27 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

870-6WVR4M8ALL104NLI

Tillverk: Nr.:

IS66WVR4M8ALL-104NLI

Tillverk:

ISSI

Beskrivning:

DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

IS66WVR4M8ALL-104NLI Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ISSI IS66WVR4M8ALL-104NLI

På lager: 88

Lager:: 88 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1 Maximalt: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	39,27 kr	39,27 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ISSI
Produktkategori:	DRAM
RoHS-direktivet:
Typ:	PSRAM (Pseudo SRAM)
Minnesstorlek:	32 Mbit
Databussbredd:	8 bit
Maximal klockfrekvens:	104 MHz
Paket/låda:	SOIC-8
Organisation:	4 M x 8
Åtkomsttid:	7 ns
Minimal matningsspänning:	1.65 V
Maximal matningsspänning:	1.95 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Märke:	ISSI
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Produkttyp:	DRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	100
Underkategori:	Memory & Data Storage
Strömstyrka - Max:	15 mA

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IS66WVR4M8ALL-104NLI Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.