IXFH6N100

IXYS
747-IXFH6N100
IXFH6N100

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 1KV 6A

Livscykel:
NRND:
Rekommenderas ej för ny design.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 160

Lager:
160 Kan skickas omedelbart
Partier som är större än 160 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
114,62 kr 114,62 kr
89,65 kr 896,50 kr
74,69 kr 8 962,80 kr
66,55 kr 33 940,50 kr
63,14 kr 64 402,80 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
IXYS
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
6 A
2 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
88 nC
- 55 C
+ 150 C
180 W
Enhancement
HyperFET
Tube
Märke: IXYS
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: PH
Falltid: 60 ns
Transkonduktans framåt - Min: 6 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 40 ns
Serie: HiPerFET
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 100 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 35 ns
Enhetens vikt: 6 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99