IXFK110N07

Name: IXYS IXFK110N07
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK110N07
Price: 215.82 SEK
Availability: Discontinued

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFK110N07

Tillverk: Nr.:

IXFK110N07

Tillverk:

IXYS

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 300 Flera: 25

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	215,82 kr	64 746,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-264-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	70 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	110 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	6 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	500 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	HyperFET
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	US
Falltid:	60 ns
Transkonduktans framåt - Min:	80 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	60 ns
Serie:	HiPerFET
Fabriksförpackningskvantitet:	25
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	100 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	30 ns
Enhetens vikt:	10 g