IXFN150N10

Name: IXYS IXFN150N10
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN150N10
Price: 349.36 SEK
Availability: Discontinued

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFN150N10

Tillverk: Nr.:

IXFN150N10

Tillverk:

IXYS

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Ange kvantitet:

Minst: 300 Flera: 10

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	349,36 kr	104 808,00 kr
1 000	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	Åtskilda halvledaremoduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, + 20 V
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	SOT-227-4
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Serie:	HiPerFET
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Falltid:	60 ns
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	150 A
Pd - Effektavledning:	520 W
Produkttyp:	Discrete Semiconductor Modules
Rds på - Dräneringskällans resistans:	12 mOhms
Stigtid:	60 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	10
Underkategori:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorns polaritet:	N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	100 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	30 ns
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Enhetens vikt:	30 g