Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

AIMDQ75R007M2HXTMA1

Name: Infineon AIMDQ75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMDQ75R007M2HXT
Price: 327.14 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-AIMDQ75R007M2HXT

Tillverk: Nr.:

AIMDQ75R007M2HXTMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

AIMDQ75R007M2HXTMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies AIMDQ75R007M2HXTMA1

På lager: 24

Lager:: 24 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	327,14 kr	327,14 kr
	267,74 kr	2.677,40 kr
	236,50 kr	23.650,00 kr
	235,40 kr	117.700,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 750)
	234,96 kr	176.220,00 kr
2 250	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PG-HDSOP-22
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	750 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	220 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	9 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5.6 V
Qg - Gate-laddning:	164 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	789 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	CoolSiC
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Falltid:	10 ns
Transkonduktans framåt - Min:	78 S
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFET
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	18 ns
Serie:	CoolSiC G2
Fabriksförpackningskvantitet:	750
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typ:	Automotive MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	40 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	17 ns
Del # Alias:	AIMDQ75R007M2H SP005982740

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

AIMDQ75R007M2HXTMA1 Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs are engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers (OBC), and high-voltage DC/DC converters. These silicon carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional efficiency, power density, and thermal performance, enabling next-generation e-mobility systems. With a voltage rating of 750V and second-generation CoolSiC™ technology, these devices offer improved switching behavior and reduced losses compared to traditional silicon solutions. The portfolio includes a range of R_DS(on) values from 9mΩ to 78mΩ, providing flexibility for designers to optimize conduction and switching performance.