Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

AIMZA75R007M2HXKSA1

Name: Infineon AIMZA75R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMZA75R007M2HXK
Price: 338.91 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-AIMZA75R007M2HXK

Tillverk: Nr.:

AIMZA75R007M2HXKSA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar Automotive SiC MOSFET, 750 V

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

AIMZA75R007M2HXKSA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies AIMZA75R007M2HXKSA1

På lager: 15

Lager:: 15 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	338,91 kr	338,91 kr
	277,31 kr	2.773,10 kr
	244,97 kr	24.497,00 kr
25 000	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	PG-TO-247-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	750 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	172 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	9 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 11 V, + 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5.6 V
Qg - Gate-laddning:	169 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	263 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	CoolSiC
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Falltid:	10 ns
Transkonduktans framåt - Min:	78 S
Förpackning:	Tube
Produkt:	Power MOSFET
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	18 ns
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typ:	CoolSiC Automotive Power Device
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	40 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	17 ns
Del # Alias:	AIMZA75R007M2H SP006113236

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

AIMZA75R007M2HXKSA1 Datablad (PDF)

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs are engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers (OBC), and high-voltage DC/DC converters. These silicon carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional efficiency, power density, and thermal performance, enabling next-generation e-mobility systems. With a voltage rating of 750V and second-generation CoolSiC™ technology, these devices offer improved switching behavior and reduced losses compared to traditional silicon solutions. The portfolio includes a range of R_DS(on) values from 9mΩ to 78mΩ, providing flexibility for designers to optimize conduction and switching performance.