AIMZA75R033M2HXKSA1

Infineon Technologies
726-AIMZA75R033M2HXK
AIMZA75R033M2HXKSA1

Tillverk:

Beskrivning:
SiC-MOSFET:ar Automotive SiC MOSFET, 750 V

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 25

Lager:
25 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
121,11 kr 121,11 kr
94,82 kr 948,20 kr
78,98 kr 7.898,00 kr
70,40 kr 35.200,00 kr
65,67 kr 65.670,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: SiC-MOSFET:ar
Through Hole
PG-TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
47 A
41.3 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
37 nC
- 55 C
+ 175 C
164 W
Enhancement
CoolSiC
Märke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: AT
Falltid: 7 ns
Transkonduktans framåt - Min: 16 S
Förpackning: Tube
Produkt: Power MOSFET
Produkttyp: SiC MOSFETS
Stigtid: 8 ns
Underkategori: Transistors
Teknologi: SiC
Transistortyp: 1 N-Channel
Typ: CoolSiC Automotive Power Device
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 17 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 9 ns
Del # Alias: AIMZA75R033M2H SP006113276
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

ECCN:
EAR99

CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs are engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers (OBC), and high-voltage DC/DC converters. These silicon carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional efficiency, power density, and thermal performance, enabling next-generation e-mobility systems. With a voltage rating of 750V and second-generation CoolSiC™ technology, these devices offer improved switching behavior and reduced losses compared to traditional silicon solutions. The portfolio includes a range of RDS(on) values from 9mΩ to 78mΩ, providing flexibility for designers to optimize conduction and switching performance.