BFR840L3RHESDE6327XTSA1

Infineon Technologies
726-BFR840L3RHESDE63
BFR840L3RHESDE6327XTSA1

Tillverk:

Beskrivning:
RF Bipolära transistorer RF BIP TRANSISTORS

Datablad:
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Mer information
Lär dig mer om Infineon Technologies BFR840L3RHESDE6327XTSA1

På lager: 13 920

Lager:
13 920
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
14 990
Fabrikens ledtid:
6
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 15000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ †
7,67 kr 7,67 kr
4,90 kr 49,00 kr
4,02 kr 402,00 kr
3,84 kr 1.920,00 kr
3,70 kr 3.700,00 kr
3,55 kr 8.875,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 15000)
3,55 kr 53.250,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: RF Bipolära transistorer
RoHS-direktivet:  
BFR840L3
Bipolar
SiGe
75 GHz
2.25 V
2.9 V
35 mA
- 55 C
+ 150 C
Single
SMD/SMT
TSLP-3
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Infineon Technologies
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: DE
Pd - Effektavledning: 75 mW
Produkttyp: RF Bipolar Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 15000
Underkategori: Transistors
Del # Alias: BFR 840L3RHESD E6327 SP000978848
Enhetens vikt: 0,500 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.

BFPx4 RF Transistors

Infineon BFPx4 RF Transistors provide the designer the best possible performance, superior flexibility and price/performance ratio. These are widely used for new emerging wireless applications, where the system specification is not yet firmly established. The BFxx Low Noise Amplifiers (LNAs) include devices suitable for use from AM over VHF/UHF up to 14GHz. These are the latest LNA innovations based on Infineon's reliable high volume 80GHz fT silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. They combine uncompromised RF performance with outstanding robustness against high RF input power overdrive and ESD.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.

Ett oväntat fel har inträffat.


Har du en fråga? Besök hjälpcentret.
Om du har frågor som rör en specifik beställning kan du logga in på ditt konto.

Om du stöter på ytterligare problem kan du kontakta oss på 800-346-6873 eller skicka ett meddelande via e-post till help@mouser.com.