FS50R12N2T7B15BPSA2

Infineon Technologies
726-FS50R12N2T7B15B2
FS50R12N2T7B15BPSA2

Tillverk:

Beskrivning:
IGBT-moduler 1200 V, 50 A sixpack IGBT module

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 15

Lager:
15 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
581,35 kr 581,35 kr
522,50 kr 5 225,00 kr
497,64 kr 52 252,20 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: IGBT-moduler
IGBT Silicon Modules
6-Pack
1.2 kV
1.5 V
50 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
Märke: Infineon Technologies
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: AT
Produkttyp: IGBT Modules
Fabriksförpackningskvantitet: 15
Underkategori: IGBTs
Teknologi: Si
Del # Alias: FS50R12N2T7_B15 SP005612508
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

1200V Sixpack IGBT Modules

Infineon 1200V Sixpack IGBT Modules are EasyPACK™ 1B sixpack IGBT modules with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, and NTC technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V Sixpack IGBT Modules.