Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IMBG120R045M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG120R045M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG120R045M1HXT
Price: 108.46 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IMBG120R045M1HXT

Tillverk: Nr.:

IMBG120R045M1HXTMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

Datablad:

IMBG120R045M1HXTMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IMBG120R045M1HXTMA1

På lager: 651

Lager:: 651 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 30 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	108,46 kr	108,46 kr
	82,06 kr	820,60 kr
	71,06 kr	7.106,00 kr
	65,34 kr	32.670,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	61,38 kr	61.380,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-263-7
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	47 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	45 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 7 V, + 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5.1 V
Qg - Gate-laddning:	46 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	227 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	CoolSiC
Märke:	Infineon Technologies
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Serie:	CoolSiC 1200V
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Del # Alias:	IMBG120R045M1H SP005349829

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IMBG120R045M1HXTMA1 Datablad (PDF)

Product Catalogs

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.