IPTC034N15NM6ATMA1

Infineon Technologies
726-IPTC034N15NM6ATM
IPTC034N15NM6ATMA1

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 640

Lager:
1 640 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
19 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
55,00 kr 55,00 kr
37,07 kr 370,70 kr
26,62 kr 2.662,00 kr
23,98 kr 11.990,00 kr
22,66 kr 22.660,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1800)
22,44 kr 40.392,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Infineon
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
150 V
194 A
3.2 mOhms
20 V
4 V
69 nC
- 55 C
+ 175 C
294 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
Märke: Infineon Technologies
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: AT
Falltid: 12 ns
Transkonduktans framåt - Min: 70 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 9 ns
Fabriksförpackningskvantitet: 1800
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 26 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 15 ns
Del # Alias: IPTC034N15NM6 SP006055102
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 6 150V effekt-MOSFET:er

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs feature industry-leading low RDS(on), improved switching performance, and excellent EMI behavior, which contribute to unparalleled efficiency, power density, and reliability. The OptiMOS 6 technology offers significant improvements over its predecessor, OptiMOS 5, including up to 41% lower RDS(on), 20% lower FOMg, and 17% lower FOMgd. Additionally, these MOSFETs exhibit high avalanche ruggedness and a maximum junction temperature of +175°C, ensuring robust and stable operation in demanding environments. With a wide package portfolio, Infineon OptiMOS™ 6 150V Power MOSFETs are designed to meet the stringent requirements of both high and low-switching frequency applications, providing enhanced system reliability and a longer lifetime.

OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 effekt-MOSFET:ar är nästa generations banbrytande innovation med prestanda som är bäst i klassen. OptiMOS 6-familjen använder tunn kretsteknik vilket möjliggör betydande prestandafördelar. Jämfört med alternativa produkter, har OptiMOS 6 effekt-MOSFET:ar en reducerad RDS(ON) på 30 % och är optimerad för synkron likriktning.