ISC016N08NM8SCATMA1

Name: Infineon ISC016N08NM8SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC016N08NM8SCAT
Price: 60.94 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-ISC016N08NM8SCAT

Tillverk: Nr.:

ISC016N08NM8SCATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

ISC016N08NM8SCATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies ISC016N08NM8SCATMA1

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 52 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	60,94 kr	60,94 kr
	39,93 kr	399,30 kr
	29,37 kr	2.937,00 kr
	26,29 kr	13.145,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 4000)
	26,29 kr	105.160,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PG-WSON-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	80 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	269 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.54 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.5 V
Qg - Gate-laddning:	76 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	263 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	OptiMOS
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Falltid:	7.2 ns
Transkonduktans framåt - Min:	55 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	6.1 ns
Serie:	OptiMOS 8
Fabriksförpackningskvantitet:	4000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	28 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	14 ns
Del # Alias:	ISC016N08NM8SC SP006195339