S80KS5122GABHI020

Name: Infineon S80KS5122GABHI020
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-S5122GABHI020
Price: 92.84 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

727-S5122GABHI020

Tillverk: Nr.:

S80KS5122GABHI020

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

DRAM SPCM

Datablad:

S80KS5122GABHI020 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies S80KS5122GABHI020

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 338
Fabrikens ledtid:: 26

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	92,84 kr	92,84 kr
	86,24 kr	862,40 kr
	81,40 kr	2 035,00 kr
	79,64 kr	3 982,00 kr
	74,36 kr	25 133,68 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	DRAM
RoHS-direktivet:
Typ:	HyperRAM
Minnesstorlek:	512 Mbit
Databussbredd:	8 bit
Maximal klockfrekvens:	200 MHz
Paket/låda:	FBGA-24
Organisation:	64 M x 8
Åtkomsttid:	35 ns
Minimal matningsspänning:	1.7 V
Maximal matningsspänning:	2 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Förpackning:	Tray
Märke:	Infineon Technologies
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Fuktkänsliga:	Yes
Monteringsstil:	SMD/SMT
Produkttyp:	DRAM
Fabriksförpackningskvantitet:	338
Underkategori:	Memory & Data Storage
Strömstyrka - Max:	44 mA

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

S80KS5122GABHI020 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320032
ECCN:: 3A991.b.2

S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory

Infineon Technologies S80KS5122 and S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory is a high-speed, low-pin-count, low-power self-refresh Dynamic RAM (DRAM) for high-performance embedded systems requiring expansion memory for scratchpad or buffering purposes. HYPERRAM products support JEDEC JESD251 profile compliant HYPERBUS™ and Octal xSPI interfaces that draw upon the legacy features of both parallel and serial interface memories while enhancing system performance and ease of design as reducing system cost. The low-pin count architecture makes HYPERRAM especially suitable for power and board space-constrained applications requiring off-chip external RAM.