Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

CGH55015F2

Name: MACOM CGH55015F2
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH55015F2
Price: 1398.87 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-CGH55015F2

Tillverk: Nr.:

CGH55015F2

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

GaN FET GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt

Datablad:

CGH55015F2 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om MACOM CGH55015F2

På lager: 81

Lager:: 81

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 100
Fabrikens ledtid:: 26

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	1 398,87 kr	1 398,87 kr
	1 097,91 kr	10 979,10 kr
	1 097,80 kr	109 780,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	440166
Transistorns polaritet:	N-Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	120 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	1.5 A
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	- 3 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Märke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	US
Förstärkning:	12 dB
Maximal driftsfrekvens:	6 GHz
Minsta driftfrekvens:	4.5 GHz
Utgångseffekt:	10 W
Förpackning:	Tray
Produkt:	GaN HEMTs
Produkttyp:	GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet:	100
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	GaN HEMT
Vgs - Gate-källans genombrottsspänning:	- 10 V to 2 V
Enhetens vikt:	500 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CGH55015F2 Datablad (PDF)

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854239099
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.