Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

GTRA364002FC-V1-R0

Name: MACOM GTRA364002FC-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTRA364002FCV1R0
Price: 2630.87 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-GTRA364002FCV1R0

Tillverk: Nr.:

GTRA364002FC-V1-R0

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

GaN FET 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

Datablad:

GTRA364002FC-V1-R0 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om MACOM GTRA364002FC-V1-R0

Leveransaviseringar:

Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.

På lager: 40

Lager:: 40 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	2 630,87 kr	2 630,87 kr
	2 170,85 kr	21 708,50 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)
	2 170,85 kr	108 542,50 kr
100	Beräkning

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	GaN FET
Leveransaviseringar:	Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	H-37248C-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	125 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	8.1 A
Maximal drifttemperatur:	+ 225 C
Märke:	MACOM
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	US
Förstärkning:	13 dB
Maximal driftsfrekvens:	3.6 GHz
Minsta driftfrekvens:	3.4 GHz
Utgångseffekt:	400 W
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Produkttyp:	GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	GaN HEMT
Vgs - Gate-källans genombrottsspänning:	- 10 V to 2 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

GTRA364002FC-V1-R0 Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:: 8541290055
ECCN:: 3A001.b.3.a

5 G RF JFET och LDMOS FET

MACOM 5 G RF-korsningstransistorer (JFET:ar) och i sidled diffusa metalloxidhalvledare (LDMOS) är termiskt förbättrade transistorer med hög effekt för nästa generations trådlösa överföring. Enheterna har GaN on SiC transistorteknik med hög elektronförflyttning (HEMT), ingångsmatchning, hög effektivitet och en termiskt förbättrad ytmonterad kapsling med en öronlös fläns. MACOM 5 G RF JFET:ar och LDMOS FET är perfekta för tillämpningar inom mobileffektförstärkare med flera standarder.