Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

GTVA262701FA-V2-R0

Name: MACOM GTVA262701FA-V2-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA262701FAV2R0
Price: 1943.26 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-GTVA262701FAV2R0

Tillverk: Nr.:

GTVA262701FA-V2-R0

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

GaN FET 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz

Datablad:

GTVA262701FA-V2-R0 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om MACOM GTVA262701FA-V2-R0

På lager: 53

Lager:: 53 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 53 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	1.943,26 kr	1.943,26 kr
	1.640,98 kr	16.409,80 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)
	1.640,98 kr	82.049,00 kr
100	Beräkning

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	H-87265J-2
Transistorns polaritet:	N-Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	125 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	12 A
Maximal drifttemperatur:	+ 225 C
Märke:	MACOM
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	US
Förstärkning:	17 dB
Maximal driftsfrekvens:	2.69 GHz
Minsta driftfrekvens:	2.496 GHz
Utgångseffekt:	270 W
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Produkttyp:	GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	GaN HEMT
Vgs - Gate-källans genombrottsspänning:	- 10 V to 2 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

GTVA262701FA-V2-R0 Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

5 G RF JFET och LDMOS FET

MACOM 5 G RF-korsningstransistorer (JFET:ar) och i sidled diffusa metalloxidhalvledare (LDMOS) är termiskt förbättrade transistorer med hög effekt för nästa generations trådlösa överföring. Enheterna har GaN on SiC transistorteknik med hög elektronförflyttning (HEMT), ingångsmatchning, hög effektivitet och en termiskt förbättrad ytmonterad kapsling med en öronlös fläns. MACOM 5 G RF JFET:ar och LDMOS FET är perfekta för tillämpningar inom mobileffektförstärkare med flera standarder.