PXAE263708NB-V1-R2

Name: MACOM PXAE263708NB-V1-R2
Brand: MACOM
SKU: 941-PXAE263708NBV1R2
Price: 1116.06 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-PXAE263708NBV1R2

Tillverk: Nr.:

PXAE263708NB-V1-R2

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

RF MOSFET-transistorer 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

Datablad:

PXAE263708NB-V1-R2 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om MACOM PXAE263708NB-V1-R2

På lager: 90

Lager:: 90 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 90 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 250)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	1 116,06 kr	1 116,06 kr
	928,40 kr	9 284,00 kr
	857,89 kr	85 789,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 250)
	857,89 kr	214 472,50 kr
500	Beräkning

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	RF MOSFET-transistorer
RoHS-direktivet:
Transistorns polaritet:	N-Channel
Teknologi:	Si
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	65 V
Rds på - Dräneringskällans resistans:	80 mOhms
Manövreringsfrekvens:	2.62 GHz to 2.69 GHz
Förstärkning:	13.5 dB
Utgångseffekt:	400 W
Maximal drifttemperatur:	+ 225 C
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	HB2SOF-8-1
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	MACOM
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Antal kanaler:	1 Channel
Produkttyp:	RF MOSFET Transistors
Fabriksförpackningskvantitet:	250
Underkategori:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-källans spänning:	- 6 V to + 10 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

PXAE263708NB-V1-R2 Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

5 G RF JFET och LDMOS FET

MACOM 5 G RF-korsningstransistorer (JFET:ar) och i sidled diffusa metalloxidhalvledare (LDMOS) är termiskt förbättrade transistorer med hög effekt för nästa generations trådlösa överföring. Enheterna har GaN on SiC transistorteknik med hög elektronförflyttning (HEMT), ingångsmatchning, hög effektivitet och en termiskt förbättrad ytmonterad kapsling med en öronlös fläns. MACOM 5 G RF JFET:ar och LDMOS FET är perfekta för tillämpningar inom mobileffektförstärkare med flera standarder.