Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

APTGX900A120TDP3EG

Name: Microchip APTGX900A120TDP3EG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-TGX900A120TDP3EG
Price: 2247.3 SEK
Availability: OutOfStock

Mouser nr:

579-TGX900A120TDP3EG

Tillverk: Nr.:

APTGX900A120TDP3EG

Tillverk:

Microchip Technology

Beskrivning:

IGBT-moduler PM-IGBT-TFS-DP3

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

APTGX900A120TDP3EG Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Microchip Technology APTGX900A120TDP3EG

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 40 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	2.247,30 kr	2.247,30 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Microchip
Produktkategori:	IGBT-moduler
RoHS-direktivet:
Produkt:	IGBT Modules
Konfiguration:	Dual
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.:	1.2 kV
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning:	1.6 V
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C:	900 A
Gate-sändarens läckström:	300 nA
Pd - Effektavledning:	3.26 kW
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Märke:	Microchip Technology
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Maximal grind-emitterspänning:	20 V
Monteringsstil:	Press Fit
Produkttyp:	IGBT Modules
Fabriksförpackningskvantitet:	1
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Teknologi:	Si

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

APTGX900A120TDP3EG Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095

IGBT 7 Power Modules

Microchip Technology Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) 7 Power Modules consist of multiple IGBT chips and freewheeling diodes that are encapsulated in a single package, creating a compact and efficient solution for high-power applications. These modules control and convert electrical power and feature increased power capability and lower power losses. The lGBT 7 lineup includes a variety of package types and topologies with a voltage range of 1200V to 1700V and a current range of 50A to 900A. These power modules are an improvement over legacy generations by offering lower V_CE(sat) and V_f, enhanced controllability of dv/dt, 50% higher current capability, overload capacity at T_j +175°C, improved freewheeling diode softness, and simpler driving. These features provide a differentiated value proposition of high power density, reduced system costs, higher efficiency, ease of use, durability, and faster time to market.