Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

MSC010SDA120B

Name: Microchip MSC010SDA120B
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC010SDA120B
Price: 45.65 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

494-MSC010SDA120B

Tillverk: Nr.:

MSC010SDA120B

Tillverk:

Microchip Technology

Beskrivning:

SiC-schottkydioder 1200 V, 10 A SiC SBD

Visa i väljare för utvecklingsverktyg

Datablad:

MSC010SDA120B Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Microchip Technology MSC010SDA120B

På lager: 108

Lager:: 108 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	45,65 kr	45,65 kr
	42,13 kr	1.263,90 kr
	36,63 kr	4.395,60 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Microchip
Produktkategori:	SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-2
Konfiguration:	Single
If - Framström:	10 A
Vrrm - Repetativ backspänning:	1.2 kV
Vf - Framspänning:	1.5 V
Ifsm - Stötström framåt:	90 A
Ir - Motström:	200 uA
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	MSC0
Förpackning:	Tube
Märke:	Microchip Technology
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkttyp:	SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Diodes & Rectifiers
Vr - Backspänning:	1.2 kV

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.