Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

MSC040SMA120S

Name: Microchip MSC040SMA120S
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC040SMA120S
Price: 237.93 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

494-MSC040SMA120S

Tillverk: Nr.:

MSC040SMA120S

Tillverk:

Microchip Technology

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268

Visa i väljare för utvecklingsverktyg

Datablad:

MSC040SMA120S Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Microchip Technology MSC040SMA120S

På lager: 44

Lager:: 44 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	237,93 kr	237,93 kr
	219,45 kr	2 194,50 kr
	185,24 kr	5 557,20 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Microchip
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D3PAK-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	64 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	50 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.8 V
Qg - Gate-laddning:	137 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	303 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Förpackning:	Tube
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Enhetens vikt:	6,200 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MSC040SMA120S Datablad (PDF)

DTS

Visa i väljare för utvecklingsverktyg

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer superior dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power MOSFETs. These MOSFETs have low capacitances, low gate charge, fast switching speed, and good avalanche ruggedness. The SiC MOSFETs can stabilize operation at 175°C high junction temperature. These MOSFETs provide high efficiency with low switching losses. The SiC MOSFETs do not require any freewheeling diodes. Typical applications include smart grid transmission and distribution, induction heating and welding, and power supply and distribution.