MSC060SMB120SDT/R

Name: Microchip MSC060SMB120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC060SMB120SDTR
Price: 48.4 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

579-MSC060SMB120SDTR

Tillverk: Nr.:

MSC060SMB120SDT/R

Tillverk:

Microchip Technology

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Ange kvantitet:

Minst: 800 Flera: 800

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	48,40 kr	38.720,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Microchip
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-263-7
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	38 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	80 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 21 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	45 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	192 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	6 ns
Produkt:	MOSFET
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	13 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	800
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	18 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	10 ns