+46 8 590 88 715

En del av TTI:s familj av specialister Kontakta Mouser (Malmö) +46 8 590 88 715 Feedback

Ändra land

På lager

RoHS

Logga in
Ny kund? Börja här
Logga in
Ny kund? Börja här

Beställningshistorik

Tillverk:	Tillverk: Nr.:	Mängd	Totalsumma

Visa kundvagn

Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

MSC750SMA170S

Name: Microchip MSC750SMA170S
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC750SMA170S
Price: 58.52 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

494-MSC750SMA170S

Tillverk: Nr.:

MSC750SMA170S

Tillverk:

Microchip Technology

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar MOSFET SIC 1700 V 750 mOhm TO-268

Visa i väljare för utvecklingsverktyg

Datablad:

MSC750SMA170S Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Microchip Technology MSC750SMA170S

På lager: 35

Lager:: 35 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	58,52 kr	58,52 kr
	54,01 kr	1.620,30 kr
	46,97 kr	5.636,40 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Microchip
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D3PAK-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.7 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	4.4 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	750 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.25 V
Qg - Gate-laddning:	11 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	63 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Microchip Technology
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Förpackning:	Tube
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Enhetens vikt:	6,200 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MSC750SMA170S Datablad

DTS

Visa i väljare för utvecklingsverktyg

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.