Hoppa till huvudinnehåll

+46 8 590 88 715

En del av TTI:s familj av specialister Kontakta Mouser (Malmö) +46 8 590 88 715 Feedback

Ändra land

På lager

RoHS

Logga in
Ny kund? Börja här
Logga in
Ny kund? Börja här

Beställningshistorik

Tillverk:	Tillverk: Nr.:	Mängd	Totalsumma

Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

BSS123-R1-00001

Panjit

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

Inte tilldelad

Tillverk: Nr.:

BSS123-R1-00001

Tillverk:

Panjit

Beskrivning:

MOSFET:er SOT23 100V .17A N-CH

Datablad:

BSS123-R1-00001 Datablad (PDF)

Tillgänglighet

Lager:: Ej i lager, ring för att begära en offert

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Panjit
Produktkategori:	MOSFET:er
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOT-23-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	170 mA
Rds på - Dräneringskällans resistans:	10 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	1.8 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	500 mW
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	Panjit
Konfiguration:	Single
Falltid:	20 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	19 ns
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	8.2 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	3.4 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

BSS123-R1-00001 Datablad (PDF)

TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

PRESENTERADE PRODUKTER

PANJIT

50V Enhancement Mode MOSFETs

These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low R_DS(ON).

60V Automotive P-Channel MOSFETs

Advanced trench process technology minimizes R_DS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

Features a high switching speed and low reverse transfer capacitance.

60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

Family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs.

150V N-Channel Automotive MOSFETs

Optimized to have excellent FOM and AEC-Q101 qualified with standard-level gate drive.