QPD1028L

Qorvo
772-QPD1028L
QPD1028L

Tillverk:

Beskrivning:
GaN FET 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 10

Lager:
10 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 10 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
22 235,95 kr 22 235,95 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Qorvo
Produktkategori: GaN FET
RoHS-direktivet:  
SMD/SMT
NI-780
65 V
19 A
- 40 C
+ 85 C
400 W
Märke: Qorvo
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: US
Förstärkning: 19.8 dB
Fuktkänsliga: Yes
Utgångseffekt: 750 W
Förpackning: Waffle
Produkttyp: GaN FETs
Serie: QPD1028L
Fabriksförpackningskvantitet: 18
Underkategori: Transistors
Teknologi: GaN SiC
Transistortyp: HEMT
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:
8542330001
ECCN:
EAR99

QPD1028 & QPD1028L 750W GaN on SiC Transistors

Qorvo QPD1028 and QPD1028L 750W GaN on SiC Transistors are discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide HEMT (High-Electron-Mobility Transistors) operating from 1.2GHz to 1.4GHz. These devices provide 59dBm of saturated output power with 18dB of large-signal gain and 70% of drain efficiency. The QPD1028 and QPD1028L Transistors are internally pre-matched for optimal performance can support both continuous wave and pulsed operations.