GANSPIN611TR

STMicroelectronics
511-GANSPIN611TR
GANSPIN611TR

Tillverk:

Beskrivning:
Kontrollenheter och drivare för motor/rörelse/tändning 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 672

Lager:
672 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
52 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
98,34 kr 98,34 kr
76,01 kr 760,10 kr
72,49 kr 1.812,25 kr
62,92 kr 6.292,00 kr
60,06 kr 15.015,00 kr
54,78 kr 27.390,00 kr
48,18 kr 48.180,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
46,97 kr 140.910,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: Kontrollenheter och drivare för motor/rörelse/tändning
RoHS-direktivet:  
Half-bridge Driver
Half-bridge with High-voltage Driver
10 A
900 uA
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
QFN-35
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: SG
Fuktkänsliga: Yes
Antal utgångar: 1 Output
Manövreringsfrekvens: 200 kHz
Produkttyp: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie: GANSPIN
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Maximal matningsspänning: 18 V
Minimal matningsspänning: 10.7 V
Handelsnamn: GaNSPIN
Enhetens vikt: 194 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

GANSPIN611 GaN High-Power Density Half-Bridge

STMicroelectronics GANSPIN611 GaN High-Power Density Half-Bridge is an advanced power system-in-package integrating two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration driven by a state-of-the-art high-voltage, high-frequency gate driver. The integrated power GaNs have an RDS(ON) of 138mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage, while the integrated bootstrap diode can easily supply the high side of the embedded gate driver.