+46 8 590 88 715

En del av TTI:s familj av specialister Kontakta Mouser (Malmö) +46 8 590 88 715 Feedback

Ändra land

På lager

RoHS

Logga in
Ny kund? Börja här
Logga in
Ny kund? Börja här

Beställningshistorik

Tillverk:	Tillverk: Nr.:	Mängd	Totalsumma

Visa kundvagn

Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SGT140R70ILB

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-SGT140R70ILB

Tillverk: Nr.:

SGT140R70ILB

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

GaN FETs 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor

Komplettera din design

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

SGT140R70ILB Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics SGT140R70ILB

Leveransbegränsning:

Mouser säljer för närvarande inte den här produkten i din region.

Tillgänglighet

Lager:: Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	GaN FET
Leveransbegränsning:	Mouser säljer för närvarande inte den här produkten i din region.
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerFLAT-8
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	700 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	17 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	140 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	3.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	113 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	4 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Produkt:	FET
Produkttyp:	GaN FETs
Stigtid:	5 ns
Serie:	SGT
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Typ:	PowerGaN Transistor
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	3 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	4 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SGT140R70ILB Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.