Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STB18NF30

Name: STMicroelectronics STB18NF30
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB18NF30
Price: 30.8 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STB18NF30

Tillverk: Nr.:

STB18NF30

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK

Komplettera din design

Datablad:

STB18NF30 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STB18NF30

På lager: 421

Lager:: 421 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 15 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	30,80 kr	30,80 kr
	20,02 kr	200,20 kr
	13,97 kr	1.397,00 kr
	11,88 kr	5.940,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	11,11 kr	11.110,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	330 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	18 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	180 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Qg - Gate-laddning:	44 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	150 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q100
Handelsnamn:	STripFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	SG
Produkttyp:	MOSFETs
Serie:	STB18NF30
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Enhetens vikt:	4 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STB18NF30 Datablad (PDF)

PCN

TARIC:: 8542319000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET II™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET II™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET™ technology with a gate structure. The resulting STripFET™ Power MOSFET exhibits a high current and low R_DS(on). These Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density. These STripFET™ Power MOSFETs are a well-established planar technology for high-efficiency, low-voltage systems.

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.