STB45N40DM2AG

STMicroelectronics
511-STB45N40DM2AG
STB45N40DM2AG

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 230

Lager:
1 230 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
73,37 kr 73,37 kr
50,27 kr 502,70 kr
38,50 kr 3.850,00 kr
38,39 kr 19.195,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
35,75 kr 35.750,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
400 V
38 A
72 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
56 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Monteringsland: CN
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Falltid: 9.8 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 6.7 ns
Serie: STB45N40DM2AG
Fabriksförpackningskvantitet: 1000
Underkategori: Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 68 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 20 ns
Enhetens vikt: 4 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 Power MOSFETs are high-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on). They are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.