STD5N60DM2

STMicroelectronics
511-STD5N60DM2
STD5N60DM2

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 311

Lager:
1 311 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
12,54 kr 12,54 kr
7,90 kr 79,00 kr
5,23 kr 523,00 kr
4,22 kr 2 110,00 kr
3,84 kr 3 840,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
3,12 kr 7 800,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
3.5 A
1.38 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
8.6 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Falltid: 19.8 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 4.1 ns
Serie: STD5N60DM2
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 17 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 7.2 ns
Enhetens vikt: 330 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.