Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STDRIVEG210Q

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STDRIVEG210Q

Tillverk: Nr.:

STDRIVEG210Q

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

Gate Drivers High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

Komplettera din design

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

STDRIVEG210Q Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STDRIVEG210Q

Leveransbegränsning:

Mouser säljer för närvarande inte den här produkten i din region.

Tillgänglighet

Lager:: Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	Styrdrivenheter
Leveransbegränsning:	Mouser säljer för närvarande inte den här produkten i din region.
RoHS-direktivet:
Produkt:	Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	QFN-18
Antal drivenheter:	2 Driver
Antal utgångar:	2 Output
Utgångsström:	1.05 A, 2.4 A
Minimal matningsspänning:	9.2 V
Maximal matningsspänning:	18 V
Stigtid:	22 ns
Falltid:	11 ns
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Förpackning:	Tray
Märke:	STMicroelectronics
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Ingångsspänning – max.:	20 V
Ingångsspänning – min.:	3 V
Maximal förseningstid vid avstängning:	60 ns
Maximal förseningstid vid påslagning:	60 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Arbetsström:	920 uA
Utgångsspänning:	220 V
Produkttyp:	Gate Drivers
Utbredningsförsening - Max:	60 ns
Rds på - Dräneringskällans resistans:	7 Ohms
Avstängning:	Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet:	490
Underkategori:	PMIC - Power Management ICs
Teknologi:	GaN

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STDRIVEG210Q Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.

STDRIVEG210 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG210 Half-Bridge Gate Drivers are designed for N‑channel enhancement mode GaN, and the high-side driver section can withstand a voltage rail up to 220V. These drivers feature high current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs. This makes them optimized for driving high-speed GaN. The STDRIVEG210 half-bridge gate drivers feature supply UVLOs tailored to fast startup and low-consumption soft-switching applications. The high-side regulator is characterized by a very short wake-up time to maximize the application efficiency during intermittent operation (burst mode). These drivers offer an extended range for input pins that allows easy interfacing with controllers. A standby pin allows for reducing the power consumption during inactive periods or burst mode. Applications include DC/DC, AC/DC, resonant converters, synchronous rectification, UPS, adapters, LED lighting, and USB-C.