Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STDRIVEG211Q

Name: STMicroelectronics STDRIVEG211Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG211Q
Price: 25.19 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STDRIVEG211Q

Tillverk: Nr.:

STDRIVEG211Q

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

Styrdrivenheter High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

Komplettera din design

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

STDRIVEG211Q Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STDRIVEG211Q

På lager: 674

Lager:: 674 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 52 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	25,19 kr	25,19 kr
	18,81 kr	188,10 kr
	17,27 kr	431,75 kr
	15,40 kr	1.540,00 kr
	14,52 kr	3.630,00 kr
	13,97 kr	6.845,30 kr
	13,53 kr	13.259,40 kr
	12,87 kr	37.837,80 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:
Produkt:	Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	QFN-18
Antal drivenheter:	2 Driver
Antal utgångar:	3 Output
Utgångsström:	1 A, 2.4 A
Minimal matningsspänning:	3.3 V
Maximal matningsspänning:	20 V
Konfiguration:	Inverting
Stigtid:	22 ns
Falltid:	11 ns
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Förpackning:	Tray
Märke:	STMicroelectronics
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Utvecklingskit:	EVLSTDRIVEG611
Fuktkänsliga:	Yes
Arbetsström:	1.02 nA
Utgångsspänning:	220 V
Produkttyp:	Gate Drivers
Utbredningsförsening - Max:	60 ns
Rds på - Dräneringskällans resistans:	7 Ohms
Avstängning:	Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet:	490
Underkategori:	PMIC - Power Management ICs
Teknologi:	GaN

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STDRIVEG211Q Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG211 Half-Bridge Gate Drivers are designed for N‑channel enhancement mode GaN, and the high-side driver section can withstand a voltage rail up to 220V. These drivers feature high current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs. This makes them optimized for driving high-speed GaN. The STDRIVEG211 half-bridge gate drivers feature supply UVLOs tailored to hard switching applications, interlocking to avoid cross-conduction conditions, and an overcurrent comparator with SmartSD. These drivers offer an extended range for input pins that allows easy interfacing with controllers. A standby pin allows for reducing the power consumption during inactive periods or burst mode. Applications include solar micro inverters, Class D audio amplifiers, E-bikes, LED lighting, USB-C, power tools, and robotics.

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.