STGW20H60DF

STMicroelectronics
511-STGW20H60DF
STGW20H60DF

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
28,71 kr 28,71 kr
15,62 kr 156,20 kr
10,51 kr 1 051,00 kr
10,03 kr 6 018,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
600 V
2 V
- 20 V, 20 V
40 A
167 W
- 55 C
+ 175 C
STGW20H60DF
Tube
Märke: STMicroelectronics
Kontinuerlig kollektorström IC max.: 20 A
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Gate-sändarens läckström: 250 nA
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 600
Underkategori: IGBTs
Enhetens vikt: 38 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.