Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STP11N65M5

Name: STMicroelectronics STP11N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP11N65M5
Price: 23.65 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STP11N65M5

Tillverk: Nr.:

STP11N65M5

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V

Komplettera din design

Datablad:

STP11N65M5 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om STMicroelectronics STP11N65M5

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	23,65 kr	23,65 kr
	11,66 kr	116,60 kr
	10,51 kr	1.051,00 kr
	8,36 kr	4.180,00 kr
	7,73 kr	7.730,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	9 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	480 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	17 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	85 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	MDmesh
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	IT
Produkttyp:	MOSFETs
Serie:	Mdmesh M5
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Enhetens vikt:	2 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

STP11N65M5 Datablad (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

N-channel MDmesh V Power MOSFET

STMicroelectronics 550 and 650V MDmesh M5 series of super-junction Power MOSFETs offer outstanding R_DS(on) values to significantly reduce losses in line-voltage PFC circuits and power supplies. This in turn enables new generations of electronic products to offer greater energy savings, superior power density, and more compact applications. This new technology will help product designers tackle emerging challenges such as the high-efficiency targets of new eco-design directives, and will also benefit the renewable energy sector by saving vital watts normally lost in power-control modules.