Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

STP190N55LF3

Name: STMicroelectronics STP190N55LF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP190N55LF3
Price: 21.78 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

511-STP190N55LF3

Tillverk: Nr.:

STP190N55LF3

Tillverk:

STMicroelectronics

Beskrivning:

MOSFET:er N-Ch, 55V-2.9ohms 120A

Komplettera din design

Datablad:

STP190N55LF3 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 13 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 1000 Flera: 1000

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	21,78 kr	21 780,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	STMicroelectronics
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	55 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	120 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.7 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 18 V, 18 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1 V
Qg - Gate-laddning:	80 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	312 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q100
Handelsnamn:	STripFET
Förpackning:	Tube
Märke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	SG
Falltid:	40 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	40 ns
Serie:	STP190N55LF3
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	160 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	20 ns
Enhetens vikt:	2 g