STS8DN6LF6AG

STMicroelectronics
511-STS8DN6LF6AG
STS8DN6LF6AG

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 3 419

Lager:
3 419 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
16,83 kr 16,83 kr
10,78 kr 107,80 kr
7,19 kr 719,00 kr
5,69 kr 2 845,00 kr
5,19 kr 5 190,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
4,84 kr 12 100,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
60 V
8 A
21 mOhms, 21 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
27 nC
- 55 C
+ 175 C
3.2 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Konfiguration: Dual
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Falltid: 7 ns, 7 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 20 ns, 20 ns
Serie: STS8DN6LF6AG
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 56 ns, 56 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 9.6 ns, 9.6 ns
Enhetens vikt: 750 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STripFET VI™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET VI™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with an updated gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET uses a trench technology for high efficiency and low RDS(on) required by various automotive and industrial switching applications such as motor control, UPS, DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. These STMicroelectronics MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low RDS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STMicroelectronics STripFET VI Power MOSFETs