TSM4NB60CP ROG

Name: Taiwan Semiconductor TSM4NB60CP ROG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM4NB60CPROG
Price: 14.52 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

821-TSM4NB60CPROG

Tillverk: Nr.:

TSM4NB60CP ROG

Tillverk:

Taiwan Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET

Datablad:

TSM4NB60CP ROG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 3 220

Lager:: 3 220 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	14,52 kr	14,52 kr
	9,15 kr	91,50 kr
	6,09 kr	609,00 kr
	4,77 kr	2.385,00 kr
	4,36 kr	4.360,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	3,93 kr	9.825,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Taiwan Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	4 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2.2 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.5 V
Qg - Gate-laddning:	14.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	50 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Falltid:	19 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	20 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	30 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	11 ns
Del # Alias:	TSM4NB60CP
Enhetens vikt:	330 mg