Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

CSD17483F4

Name: Texas Instruments CSD17483F4
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17483F4
Price: 3.6 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

595-CSD17483F4

Tillverk: Nr.:

CSD17483F4

Tillverk:

Texas Instruments

Beskrivning:

MOSFET:er 30V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD17483F4T A A 595-CSD17483F4T

Datablad:

CSD17483F4 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 15 529

Lager:: 15 529 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1 Maximalt: 1190

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	3,60 kr	3,60 kr
	2,23 kr	22,30 kr
	1,41 kr	141,00 kr
	1,05 kr	525,00 kr
	0,924 kr	924,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	0,924 kr	2.772,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:

CSD17483F4T

Emballage:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tillgänglighet:

På lager

Pris:

13,20 kr

Min:

Liknande produkt

Tillverk:

Texas Instruments

Tillverk: Nr.:

CSD17483F4T

Beskrivning:

MOSFET:er 30V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD17483 A 595-CSD17483F4

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Texas Instruments
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PICOSTAR-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	1.5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	240 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	650 mV
Qg - Gate-laddning:	1.01 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	500 mW
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	FemtoFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	PH
Distributionsland:	CN
Ursprungsland:	PH
Falltid:	3.4 ns
Transkonduktans framåt - Min:	2.4 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	1.3 ns
Serie:	CSD17483F4
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	10.6 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	3.3 ns
Enhetens vikt:	0,400 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CSD17483F4 Datablad

Images

Function Diagram

PCN

SPICE Models

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

CSD17483F4 FemtoFET MOSFET

Texas Instruments CSD17483F4 FemtoFET MOSFET is built using FemtoFET technology and is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.