Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

CSD17505Q5A

Name: Texas Instruments CSD17505Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17505Q5A
Price: 22.66 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

595-CSD17505Q5A

Tillverk: Nr.:

CSD17505Q5A

Tillverk:

Texas Instruments

Beskrivning:

MOSFET:er 30V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD175 A 595-CSD17581Q5A

Datablad:

CSD17505Q5A Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	22,66 kr	22,66 kr
	14,52 kr	145,20 kr
	9,93 kr	993,00 kr
	7,92 kr	3 960,00 kr
	7,54 kr	7 540,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	7,24 kr	18 100,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

Liknande produkt

Tillverk:

Texas Instruments

Tillverk: Nr.:

CSD17581Q5A

Beskrivning:

MOSFET:er 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q5AT

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Texas Instruments
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	VSONP-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	100 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	4.6 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.3 V
Qg - Gate-laddning:	10 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	3.2 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	NexFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	6.1 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	11.5 ns
Serie:	CSD17505Q5A
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Enhetens vikt:	330 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

CSD17505Q5A 30V, NexFET™ Power MOSFET

Texas Instruments CSD17505Q5A 30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications. TI CSD17505Q5A N-Channel NexFET Power MOSFET features ultralow gate charge total (4.5V) of 10nC (typical) and ultralow gate charge gate to drain of 2.7nC (typical). TI CSD17505Q5A NexFET Power MOSFET offers low thermal resistance and are optimized for control and synchronous FET applications. They are also ideal for point-of-load synchronous buck in networking, telecom, and computing systems.
Learn More

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

TI N-Channel 8-23-12

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.