CSD18501Q5A

Texas Instruments
595-CSD18501Q5A
CSD18501Q5A

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 40V N-Channel NexFET Power MOSFET

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 194

Lager:
1 194 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1   Maximalt: 190
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
26,29 kr 26,29 kr
17,38 kr 173,80 kr
12,54 kr 1 254,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
12,54 kr 31 350,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Texas Instruments
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-Channel
1 Channel
40 V
161 A
3.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.4 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Monteringsland: CN
Distributionsland: CN
Ursprungsland: CN
Utvecklingskit: EVMX777BG-01-00-00, EVMX777G-01-20-00
Falltid: 3.4 ns
Transkonduktans framåt - Min: 118 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 10 ns
Serie: CSD18501Q5A
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 20 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 4.7 ns
Enhetens vikt: 87,800 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

CSD1850xQ5A 40V N-Channel NexFET Power MOSFETs

Texas Instruments CSD1850xQ5A devices are 40V N-Channel NexFET Power MOSFETs that are designed to minimize losses in power conversion applications. TI CSD18501Q5A features RDS(ON) Max @ VGS=4.5V of 4.3mΩ and RDS(ON) Max @ VGS=10V of 3.2mΩ while CSD18503Q5A features RDS(ON) Max @ VGS=4.5V of 6.2mΩ and RDS(ON) Max @ VGS=10V of 4.3mΩ. CSD18504Q5A features RDS(ON) Max @ VGS=4.5V of 9.8mΩ and RDS(ON) Max @ VGS=10V of 6.6mΩ. Texas Instruments CSD1850xQ5A 40V N-channel NexFET Power MOSFETs are ideal for use in DC-DC conversion, secondary side synchronous rectifier, and battery motor control applications.

TI N-Channel 8-23-12


NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.