Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

CSD19535KCS

Name: Texas Instruments CSD19535KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19535KCS
Price: 40.37 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

595-CSD19535KCS

Tillverk: Nr.:

CSD19535KCS

Tillverk:

Texas Instruments

Beskrivning:

MOSFET:er 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

Datablad:

CSD19535KCS Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Texas Instruments CSD19535KCS

På lager: 890

Lager:: 890

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 1 200
Fabrikens ledtid:: 12

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	40,37 kr	40,37 kr
	22,22 kr	222,20 kr
	19,14 kr	1.914,00 kr
	16,94 kr	8.470,00 kr
	15,62 kr	15.620,00 kr
	14,52 kr	36.300,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Texas Instruments
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-220-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	187 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.6 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.2 V
Qg - Gate-laddning:	78 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	300 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	NexFET
Förpackning:	Tube
Märke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	CN
Distributionsland:	CN
Ursprungsland:	CN
Falltid:	5 ns
Transkonduktans framåt - Min:	274 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	15 ns
Serie:	CSD19535KCS
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	60 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	32 ns
Enhetens vikt:	2 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CSD19535KCS Datablad

Images

PCN

SPICE Models

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.