Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

CSD85301Q2T

Name: Texas Instruments CSD85301Q2T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD85301Q2T
Price: 16.61 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

595-CSD85301Q2T

Tillverk: Nr.:

CSD85301Q2T

Tillverk:

Texas Instruments

Beskrivning:

MOSFET:er Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2

Datablad:

CSD85301Q2T Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Texas Instruments CSD85301Q2T

På lager: 396

Lager:: 396 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 250)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	16,61 kr	16,61 kr
	10,59 kr	105,90 kr
	6,15 kr	615,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 250)
	6,15 kr	1 537,50 kr
	5,28 kr	2 640,00 kr
	4,76 kr	4 760,00 kr
	4,73 kr	11 825,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Texas Instruments
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	WSON-FET-6
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	20 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	27 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	600 mV
Qg - Gate-laddning:	5.4 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	2.3 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	NexFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Falltid:	15 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	26 ns
Serie:	CSD85301Q2
Fabriksförpackningskvantitet:	250
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	14 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	6 ns
Enhetens vikt:	9,700 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.