Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

CSD88599Q5DC

Name: Texas Instruments CSD88599Q5DC
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD88599Q5DC
Price: 48.07 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

595-CSD88599Q5DC

Tillverk: Nr.:

CSD88599Q5DC

Tillverk:

Texas Instruments

Beskrivning:

MOSFET:er 60-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88599Q5DCT

Datablad:

CSD88599Q5DC Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Texas Instruments CSD88599Q5DC

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 2 249
Fabrikens ledtid:: 12

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1 Maximalt: 860

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	48,07 kr	48,07 kr
	32,01 kr	320,10 kr
	22,88 kr	2 288,00 kr
	21,78 kr	10 890,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	21,78 kr	54 450,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Texas Instruments
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	VSON-CLIP-22
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	40 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.7 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.4 V
Qg - Gate-laddning:	43 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	12 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	NexFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Falltid:	3 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	20 ns
Serie:	CSD88599Q5DC
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	23 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	9 ns
Enhetens vikt:	100,600 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

Power Block TI NexFET

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

CSD88599Q5DC 60V Half-Bridge NexFET Power Block

Texas Instruments CSD88599Q5DC 60V Half-Bridge NexFET Power Block is an optimized design for high-current motor control applications. These applications include handheld, cordless garden, and power tools. The CSD88599Q5DC utilizes TI’s patented stacked die technology to minimize parasitic inductances while offering a complete half-bridge. The device comes in a space-saving thermally enhanced DualCool™ 5mm × 6mm package. With an exposed metal top, this power block device allows for a simple heat sink application to draw heat out through the top of the package and away from the PCB. This design allows for superior thermal performance at the higher currents demanded by many motor control applications.