LM5113QDPRRQ1

Texas Instruments
595-LM5113QDPRRQ1
LM5113QDPRRQ1

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter Automotive 1.2-A/5-A 100-V half bridge

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 2 496

Lager:
2 496 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 4500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
41,69 kr 41,69 kr
31,68 kr 316,80 kr
29,26 kr 731,50 kr
26,40 kr 2.640,00 kr
25,08 kr 6.270,00 kr
24,31 kr 12.155,00 kr
23,65 kr 23.650,00 kr
22,66 kr 56.650,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 4500)
22,55 kr 101.475,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Texas Instruments
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
WSON-10
2 Driver
2 Output
5 A
4.5 V
5.5 V
7 ns
3.5 ns
- 40 C
+ 125 C
LM5113
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Texas Instruments
Monteringsland: MY
Distributionsland: US
Ursprungsland: MY
Maximal förseningstid vid avstängning: 26.5 ns
Maximal förseningstid vid påslagning: 28 ns
Arbetsström: 2 mA
Produkttyp: Gate Drivers
Fabriksförpackningskvantitet: 4500
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Teknologi: Si
Enhetens vikt: 49,200 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LM5113/LM5113-Q1 Half-Bridge Gate Driver

Texas Instruments LM5113/LM5113-Q1 Half-Bridge Gate Driver is designed to drive both the high-side and the low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of driving a high-side enhancement mode GaN FET operating up to 100V. The high-side bias voltage is generated using a bootstrap technique and is internally clamped at 5.2V. This clamping prevents the gate voltage from exceeding the maximum gate-source voltage rating of enhancement mode GaN FETs. The inputs of the LM5113/LM5113-Q1 are TTL logic compatible and can withstand input voltages up to 14V regardless of the VDD voltage. The LM5113/LM5113-Q1 has split gate outputs, providing flexibility to adjust the turn-on and turn-off strength independently. The LM5113-Q1 devices are AEC-Q100 qualified for automotive applications.